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GaAs FET
CLY 10
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Datasheet
* Power amplifier for mobile phones * For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz * Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V * POUT at VD=3V, f=1.8GHz 28.5 dBm typ. * High efficiency better 55 %
ESD:
Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!
Type
Marking
Ordering code (taped) Q62702-L94
1 G
Pin Configuration 2 3 4 S D S
Package 1)
CLY 10
CLY 10
SOT 223
Maximum ratings Drain-source voltage Drain-gate voltage Gate-source voltage Drain current Channel temperature Storage temperature Total power dissipation (Ts < 80 C) 2) Total power dissipation (Ts < 110 C) 2)
Symbol VDS VDG VGS ID TCh Tstg PtotDC
Values 9 12 -6 2.1 150 -55...+150 3.5 2.0
Unit V V V A C C W
Thermal resistance Channel - soldering point 2)
RthChS
20
K/W
1) Dimensions see chapter Package Outlines 2) Ts is measured on the source lead to the PCB under load.
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 1/7
17.12.96 HL EH PD 21
GaAs FET
Electrical characteristics (TA = 25C , unless otherwise specified) Characteristics Drain-source saturation current
VDS = 3 V VGS = 0 V
CLY 10
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Symbol
min 1.2 -3.8
typ 1.6 10 -2.8
max 2.4 200 35 -1.8
Unit A A A V dB
IDSS ID IG VGS(p) G
Drain-source pinch-off current
VDS = 3 V VGS = -3.8 V
Gate pinch-off current
VDS = 3 V VGS = -3.8 V
Pinch-off Voltage
VDS= 3 V ID=200A
Small Signal Gain *)
VDS = 3 V ID = 700 mA Pin = 0 dBm
f = 1.8 GHz
-
9
dB
Small Signal Gain **)
VDS = 3 V ID = 700 mA Pin = 0 dBm
f = 1.8 GHz
G
8 28.5 -
Output Power
VDS = 3 V ID = 700 mA Pin = 20.5 dBm
f = 1.8 GHz
Po
28
dBm
Output Power
VDS = 5 V ID = 700 mA Pin = 20 dBm
f = 0.9 GHz
Po
32.0
32.5
-
dBm
1dB-Compression Point
VDS = 3 V ID = 700 mA
f = 1.8 GHz
P1dB P1dB
f = 1.8GHz
40
28.5 32.5 55
-
dBm dBm %
1dB-Compression Point
VDS = 5 V ID = 700 mA
Power Added Efficiency
VDS = 5 V ID = 700 mA Pin = 20 dBm
*
PAE
f = 1.8 GHz
) Matching conditions for maximum small signal gain: f = 1.8 GHz
Source Match: ms: MAG = 0.70, ANG -116; Load Match: ml: ;MAG 0.68, ANG -145
**
) Power matching conditions: f = 1.8 GHz
Source Match: ms: MAG = 0.70, ANG -120; Load Match: ml: ;MAG 0.78, ANG -130 pg. 2/7 17.12.96 HL EH PD 21
Siemens Aktiengesellschaft
GaAs FET
CLY 10
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Compression Power vs. Drain-Source Voltage
f = 1.8GHz; IDS = 0.5 IDSS
P1dB 40 [dBm] 35 30 25 20 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7[V] 8
Drain-Source Voltage
D
80 [%] 70 60 50 40 30 20 10 0
Small Signal Gain 16 [dB] 14 12 10 8 6 4 2 0 0 1 2 3 4 5 6 7[V] 8
Drain-Source Voltage
P1dB
4.0 [W] 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0
Output Characteristics
1,8 1,6
PtotDC VGS=0V
Draincurrent [A]
1,4 1,2 1 0,8
VGS=-1.5V VGS=-0.5V VGS=-1V
0,6 0,4 0,2 0 0 1 2 3 4 5 6
VGS=-2V VGS=-2.5V
Drain-Source Voltage [V]
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 3/7
17.12.96 HL EH PD 21
GaAs FET
typ. Common Source S-Parameters VDS = 3 V
f GHz 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,2 1,4 1,5 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 S11 MAG 0,97 0,94 0,92 0,89 0,88 0,85 0,84 0,83 0,83 0,83 0,83 0,83 0,83 0,84 0,84 0,85 0,86 0,87 0,88 0,88 0,88 0,9 0,9 0,91 0,92 0,93 0,93 0,92 S21 MAG 12,54 11,55 10,29 9,27 8,35 6,8 5,67 4,85 4,2 3,69 3,29 2,95 2,45 2,07 1,91 1,77 1,54 1,35 1,19 1,06 0,99 0,74 0,57 0,46 0,38 0,33 0,28 0,25
CLY 10
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ID = 700 mA
S12 MAG 0,01013 0,01418 0,01729 0,01981 0,02179 0,02484 0,02739 0,02978 0,03211 0,03431 0,03669 0,03901 0,04357 0,04826 0,05055 0,05255 0,05666 0,06018 0,06309 0,06575 0,06683 0,07096 0,0727 0,07424 0,07458 0,07561 0,07602 0,07392
Zo = 50
S22 MAG 0,55 0,57 0,58 0,61 0,62 0,64 0,65 0,66 0,66 0,68 0,68 0,69 0,69 0,7 0,72 0,72 0,73 0,75 0,76 0,76 0,77 0,79 0,81 0,84 0,85 0,88 0,89 0,9
ANG -46,7 -66,5 -83,8 -98,3 -110,6 -130,5 -145,7 -157,8 -167,9 -176,7 175,5 168,6 156,3 145,5 140,4 135,6 126,4 117,9 110 102,7 99 83,3 70,3 59,4 49,1 39,4 29,7 20,8
ANG 152,1 139,8 129,8 121,5 113,8 102 92 83,9 76,8 70,1 64,1 58,5 47,7 37,7 33 28,3 19,2 10,5 2,1 -6 -9,8 -27,3 -41,4 -52,8 -63,3 -73,5 -82,9 -90,9
ANG 71 63,5 57,8 53,6 49,5 45,7 42,8 41 39,8 38,5 37,2 36,2 33,1 29,8 28,2 26,3 22,1 17,8 13,7 9,6 7,3 -2,7 -11,6 -19,4 -27,5 -34,8 -42,6 -50,4
ANG -175,9 -175,9 -177,6 -178,6 -179,6 176,6 173,9 170,4 167,9 165,1 162,1 160,1 154,8 149,4 147,3 144,3 139 134,2 129,5 124,8 121,7 110,1 99,4 89,2 80 70,2 60 49
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 4/7
17.12.96 HL EH PD 21
GaAs FET
CLY 10
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typ. Common Source S-Parameters VDS = 5 V
f GHz
0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,2 1,4 1,5 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6
ID = 700 mA
S12 MAG
0,01079 0,01503 0,01801 0,02041 0,02224 0,02486 0,02691 0,02894 0,03078 0,03264 0,03469 0,03667 0,04065 0,04503 0,04721 0,04917 0,05335 0,05705 0,0602 0,06313 0,06448 0,06956 0,07219 0,07429 0,07489 0,07614 0,07667 0,07466
Zo = 50
S22 MAG
0,45 0,47 0,5 0,53 0,55 0,56 0,58 0,59 0,6 0,61 0,61 0,62 0,64 0,65 0,66 0,67 0,69 0,71 0,72 0,73 0,74 0,77 0,81 0,83 0,85 0,89 0,9 0,91
S11 MAG
0,96 0,93 0,91 0,88 0,87 0,84 0,83 0,82 0,82 0,81 0,82 0,82 0,82 0,83 0,84 0,84 0,85 0,86 0,87 0,88 0,88 0,9 0,91 0,91 0,92 0,93 0,93 0,92
ANG
-48,5 -68,8 -86,4 -101 -113,2 -132,9 -147,7 -159,5 -169,4 -177,9 174,5 167,7 155,7 145,1 140,1 135,4 126,3 118 110,1 102,8 99,1 83,3 70,3 59,3 48,9 39,2 29,5 20,6
S21 MAG
14,2 12,97 11,48 10,26 9,19 7,43 6,17 5,25 4,54 3,98 3,55 3,17 2,62 2,2 2,04 1,88 1,63 1,42 1,25 1,1 1,03 0,76 0,57 0,45 0,37 0,31 0,26 0,23
ANG
150,6 137,9 127,5 119,1 111,4 99,4 89,4 81,2 73,9 67,1 61 55,1 43,9 33,6 28,7 23,8 14,3 5,1 -3,6 -12,2 -16,1 -34,4 -49 -60,5 -71,1 -81,2 -90,4 -97,9
ANG
68,9 60,6 54,4 50,1 45,9 41,7 39,1 37,6 36,7 35,8 35 34,4 32,4 29,9 28,8 27,2 23,5 19,7 15,9 12 9,9 -0,2 -9 -17,1 -25,5 -32,9 -40,9 -48,6
ANG
-171,9 -171,3 -173,3 -174,5 -175,6 -179,8 177,5 173,8 171,4 168,7 165,8 163,9 158,8 153,6 151,6 148,5 143,3 138,5 133,8 129 125,9 113,9 102,8 92,1 82,5 72,3 61,7 51
Additional S-Parameter available on CD.
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 5/7
17.12.96 HL EH PD 21
GaAs FET
CLY 10
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Total Power Dissipation
PtotDC = f(Ts)
Permissible Pulse Load
Ptotmax/PtotDC = f(tp)
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 6/7
17.12.96 HL EH PD 21
GaAs FET
CLY 10
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CLY10 Power GaAs-FET Matching Conditions
Definition:
Measured Data:
Typ f [GHz] 0.9 1.5 1.8 2.4 VDS [V] 3 5 6 3 5 6 3 5 6 3 5 6 ID [mA] 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 P-1dB [dBm] 26.7 32.0 33.8 28.5 32.5 33.3 28.5 32.5 33.3 27.9 31.3 33.3 Gain [dB] 15.3 15.4 14.9 10.0 10.1 10.2 9.0 9.5 9.7 7.2 7.4 7.5
ms MAG 0.58 0.57 0.56 0.70 0.67 0.67 0.70 0.70 0.73 0.77 0.74 0.73
ms ANG 169 173 174 -135 -127 -134 -120 -120 -125 -86 -92 -87
ml MAG 0.68 0.69 0.68 0.79 0.76 0.72 0.78 0.78 0.77 0.73 0.65 0.70
ml ANG -156 -157 -155 -132 -133 -132 -123 -125 -126 -107 -110 -110
CLY10
Note: Gain is small signal gain @ ms and ml
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 7/7
17.12.96 HL EH PD 21

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